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所开发的紫外线mm
 详细说明

  从事紫外线LED业务的日本NitrideSemiconductor开发出施加100mA电流时,光功率高达48mW的表面封装型紫外线nm。原产品“NS375L-7SFF”施加20mA的电流时,光功率为3.5mW。芯片尺寸增大到4倍以上,从原产品的280μm×280μm扩大到目前的600μm×600μm。

  所开发的紫外线mm。工作温度范围为-30~+80℃。将于2008年12月开始样品供货。


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